Semiconductor package for high frequency power amplifier mounting structure thereof and manufacturing method thereof

• Main Authors: PARK SE HOON, RYU JONG IN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor package for a high frequency power amplifier, a mounting structure thereof, and a manufacturing method thereof. The semiconductor package according to the present invention has a structure on which a semiconductor chip for a high frequency power amplifier is mounted on an embedded substrate; and external connection terminals connected to a printed circuit board are formed on a lower surface of the embedded substrate. The semiconductor chip forms a ground layer on a lower surface and forms input/output terminals on an upper surface. The embedded substrate mounts the semiconductor chip. The external connection terminals are formed on a lower surface of the embedded substrate, and are electrically connected to the input/output terminals by the embedded substrate. And, most of the lower surface of the embedded substrate is used as a ground area. The present invention reduces a signal loss. 본 발명은 고주파 전력 증폭기용 반도체 패키지, 그의 실장 구조 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 패키지는 고주파 전력 증폭기용 반도체 칩이 임베디드(embedded) 기판에 내장되고, 임베디드 기판의 하부면에 인쇄회로기판에 접속될 수 있는 외부 접속 단자들이 형성된 구조를 갖는다. 반도체 칩은 하부면에 그라운드층이 형성되고, 상부면에 입출력 단자들이 형성되어 있다. 임베디드 기판은 반도체 칩을 내장한다. 외부 접속 단자들은 임베디드 기판의 하부면에 형성되며, 임베디드 기판을 매개로 입출력 단자들과 전기적으로 연결된다. 그리고 임베디드 기판은 하부면 대부분이 그라운드 영역으로 사용된다.