3차원 메모리 디바이스의 접촉 패드 및 그 제조 방법

• Main Authors: WANG YONGQING, XIAO LIANG, CHEN HE, WU SHU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

3차원(3D) NAND 메모리 디바이스 및 방법이 제공된다. 한 양태에서, 제조 방법은 제1 어레이 디바이스 및 제2 어레이 디바이스를 갖는 스택형 디바이스를 준비하는 단계, 제2 어레이 디바이스의 이면측에 개구를 형성하는 단계, 및 그 개구에 하나 이상의 접촉 패드를 형성하는 단계를 포함한다. 제1 어레이 디바이스는 제1 어레이 디바이스의 표면측에 있는 제1 전방 패드 및 제1 어레이 디바이스의 이면측에 있는 제1 후방 패드를 포함한다. 제2 어레이 디바이스는, 제2 어레이 디바이스의 표면측에 있고 제1 후방 패드에 본딩되는 제2 전방 패드를 포함한다. 하나 이상의 접촉 패드는 제1 어레이 디바이스에 대한 제2 전방 패드에 근접한 레벨에 배치된다. Three-dimensional (3D) NAND memory devices and methods are provided. In one aspect, a fabrication method includes preparing a stacked device having a first array device and a second array device, forming an opening on a back side of the second array device, and forming one or more contact pads in the opening. The first array device includes first front pads on a face side of the first array device and first back pads on a back side of the first array device. The second array device includes second front pads on a face side of the second array device and bonded with the first back pads. The one or more contact pads are disposed at a level proximate to the second front pads with respect to the first array device.