Semiconductor device and method for fabricating the same

• Main Authors: JANG HAN MIN, NOH SUN YOUNG, LEE EUI BOK, KIM WAN DON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device. The semiconductor device comprises: a substrate; a first interlayer insulating film arranged on the substrate; a first wiring pattern arranged inside a first trench formed on the first interlayer insulating film; a second interlayer insulating film arranged on the first interlayer insulating film; a second wiring pattern arranged inside a second trench formed on the second interlayer insulating film; a third interlayer insulating film arranged on the second interlayer insulating film; a third wiring pattern which is arranged inside a third trench formed on the third interlayer insulating film and which includes a first wiring barrier layer arranged along a side wall of the third trench and a first wiring filling layer filling the third trench on the first wiring barrier layer, wherein a lower surface of the first wiring filling layer is in contact with the third interlayer insulating film; a first via trench vertically extending in a vertical direction from an upper surface of the first wiring pattern to a bottom surface of the third trench; and a first via barrier layer arranged along a side wall of the first via trench and a first via filling layer filling the first via trench on the first via barrier layer, wherein the first via filling layer includes a first via in contact with the first wiring pattern and the first wiring filling layer, respectively. The first wiring filling layer and the first via filling layer include different materials. The present invention can reduce resistance between a via and a lower wiring pattern. 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막에 형성된 제1 트렌치의 내부에 배치되는 제1 배선 패턴, 제1 층간 절연막 상에 배치되는 제2 층간 절연막, 제2 층간 절연막에 형성된 제2 트렌치의 내부에 배치되는 제2 배선 패턴, 제2 층간 절연막 상에 배치되는 제3 층간 절연막, 제3 층간 절연막에 형성된 제3 트렌치의 내부에 배치되고, 제3 트렌치의 측벽을 따라 배치되는 제1 배선 배리어층 및 제1 배선 배리어층 상에서 제3 트렌치를 채우는 제1 배선 필링층을 포함하고, 제1 배선 필링층의 하면은 제3 층간 절연막과 접하는 제3 배선 패턴, 및 제1 배선 패턴의 상면으로부터 제3 트렌치의 바닥면까지 수직 방향으로 연장되는 제1 비아 트렌치, 제1 비아 트렌치의 측벽을 따라 배치되는 제1 비아 배리어층 및 제1 비아 배리어층 상에서 제1 비아 트렌치를 채우는 제1 비아 필링층을 포함하고, 제1 비아 필링층은 제1 배선 패턴 및 제1 배선 필링층 각각과 접하는 제1 비아를 포함하되, 제1 배선 필링층 및 제1 비아 필링층은 서로 다른 물질을 포함한다.