Non-volatile Memory Device

• Main Authors: KIM HYUNG GON, LIM BONG SOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a nonvolatile memory device capable of improving use efficiency of memory blocks arranged in a cell area. The nonvolatile memory device includes a memory cell area and a peripheral circuit area positioned in the lower part of the memory cell area in a vertical direction. The memory cell area includes: an upper substrate; channel structures extended in the vertical direction from the upper part of the upper substrate; and a first metal line extending from the upper part of the channel structures in a first horizontal direction. The peripheral circuit area includes: a first lower metal line extended in a second horizontal direction; and a first via and a second via on the first lower metal line. The upper surface of the second via is connected to the upper substrate. The memory cell area also includes a first through electrode extended in the vertical direction to pass through the upper substrate and the first via and electrically connecting the first metal line and the first lower metal line. The first metal line is electrically connected to the upper substrate through the first through electrode, the first lower metal line, and the second via. 비휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 영역 및 메모리 셀 영역에 대해 수직 방향으로 하부에 위치하는 주변 회로 영역을 포함한다. 메모리 셀 영역은 상부 기판, 상부 기판 상에서 수직 방향으로 연장되는 채널 구조물들, 및 채널 구조물들의 상부에서 제1 수평 방향으로 연장된 제1 메탈 라인을 포함하고, 주변 회로 영역은 제2 수평 방향으로 연장된 제1 하부 메탈 라인 및 제1 하부 메탈 라인 상의 제1 비아 및 제2 비아를 포함하며, 제2 비아의 상면은 상부 기판에 접한다. 메모리 셀 영역은 상부 기판 및 제1 비아를 관통하도록 수직 방향으로 연장되고 제1 메탈 라인과 제1 하부 메탈 라인을 전기적으로 연결하는 제1 관통 전극을 더 포함하고, 제1 메탈 라인은 제1 관통 전극, 제1 하부 메탈 라인 및 제2 비아를 통해 상부 기판에 전기적으로 연결된다.