반도체 장치

• Main Authors: SUZUKI AKIO, IKEDA TAKAYUKI, YAKUBO YUTO, MIYATA SHOKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 20.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TOANOTHER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

신규 반도체 장치를 제공한다. 믹서 회로와 바이어스 회로를 포함하는 반도체 장치이다. 믹서 회로는 전압 전류 변환부와, 전류 스위치부와, 전류 전압 변환부를 포함한다. 또한 바이어스 회로는 바이어스 공급부와 제 1 트랜지스터를 포함한다. 전압 전류 변환부는 제 2 트랜지스터와 제 3 트랜지스터를 포함한다. 바이어스 공급부는 제 2 트랜지스터의 게이트와 제 3 트랜지스터의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 출력하는 기능을 갖는다. 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 2 트랜지스터의 게이트 및 제 3 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속된다. 바이어스 전압의 공급 시에는 제 1 트랜지스터를 오프 상태로 하고, 바이어스 전압의 공급 정지 시에는 제 1 트랜지스터를 온 상태로 한다. A novel semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a mixer circuit and a bias circuit. The mixer circuit includes a voltage-to-current conversion portion, a current switch portion, and a current-to-voltage conversion portion. The bias circuit includes a bias supply portion and a first transistor. The voltage-to-current conversion portion includes a second transistor and a third transistor. The bias supply portion has a function of outputting a bias voltage to be supplied to a gate of the second transistor and a gate of the third transistor. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor and the gate of the third transistor. The first transistor is turned off when the bias voltage is supplied, and the first transistor is turned on when the supply of the bias voltage is stopped.