후면 에칭을 통한 초전도성 큐비트 수명 및 일관성 개선

• Main Authors: SANDBERG MARTIN, MARTIN YVES, GILL DOUGLAS, ADIGA VIVEKANANDA, PAIK HANHEE
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 10.01.2023
• Subjects: CALCULATING; COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS; COMPUTING; COUNTING; ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

양자역학 소자에서 큐비트의 수명 및 일관성 시간을 개선하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 전면 및 후면을 갖는 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 전면에는 적어도 하나의 큐비트가 형성되어 있고, 적어도 하나의 큐비트는 커패시터 패드를 구비한다. 상기 방법은, 적어도 하나의 큐비트에서 수명(T1)과 일관성 시간(T2)을 향상시키기 위해 실리콘-공기(SA) 계면, 금속-공기(MA) 계면 또는 실리콘-금속(SM) 계면 중 적어도 하나로 인한 무선 주파수 전류 손실을 줄이기 위하여, 적어도 하나의 큐비트의 대향 영역에서 기판의 후면으로부터 일정량의 기판 재료를 제거하는 단계 또는 적어도 하나의 큐비트의 대향 영역에서 기판의 후면에 초전도 금속층을 증착하는 단계 중 적어도 하나를 더 포함한다. A method for improving lifetime and coherence time of a qubit in a quantum mechanical device is provided. The method includes providing a substrate having a frontside and a backside, the frontside having at least one qubit formed thereon, the at least one qubit having capacitor pads. The method further includes at least one of removing an amount of substrate material from the backside of the substrate at an area opposite the at least one qubit or depositing a superconducting metal layer at the backside of the substrate at the area opposite the at least one qubit to reduce radiofrequency electrical current loss due to at least one of silicon-air (SA) interface, metal-air (MA) interface or silicon-metal (SM) interface so as to enhance a lifetime (T1) and a coherence time (T2) in the at least one qubit.