IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: NAH SEUNGJOO, HAN DONGMIN, JEONG HEEGEUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are an image sensor and a manufacturing method of thereof. The image sensor comprises: a semiconductor substrate having a first surface and a second surface facing each other; a pixel isolation structure provided within the semiconductor substrate and defining a pixel area; a photoelectric conversion area provided within the pixel area; a first device isolation film defining an active portion on the first surface of the semiconductor substrate in the pixel area; a floating diffusion area spaced apart from the photoelectric conversion area and provided within the active portion; a transfer gate electrode provided on the active portion between the photoelectric conversion area and the floating diffusion area; and a second device isolation film provided in the active portion between the transfer gate electrode and the floating diffusion area. Accordingly, electrical characteristics of the image sensor can be further improved. 본 발명은 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 내에 제공되며, 픽셀 영역을 정의하는 픽셀 분리 구조체, 상기 픽셀 영역 내에 제공되는 광전 변환 영역, 상기 픽셀 영역에서 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 활성부를 정의하는 제1 소자 분리막, 상기 광전 변환 영역과 이격되어 상기 활성부 내에 제공되는 플로팅 확산 영역, 상기 광전 변환 영역과 상기 플로팅 확산 영역 사이에서 상기 활성부 상에 제공되는 트랜스퍼 게이트 전극, 및 상기 트랜스퍼 게이트 전극과 상기 플로팅 확산 영역 사이에서 상기 활성부 내에 제공되는 제2 소자 분리막을 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 개시한다.