질소 도핑된 탄소 하드마스크 막들
본원에는 증착 균일성 및 에칭 선택성을 개선하기 위해 탄소 하드 마스크들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 탄소 하드 마스크는 PECVD 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고, 질소-도핑된 탄소 하드마스크이다. 질소-도핑된 탄소 하드마스크는 질소 함유 가스, 아르곤 함유 가스, 및 탄화수소 가스를 사용하여 형성된다. Disclosed herein is a method and apparatus for forming carbon hard masks to improve deposition uniformity and etch sele...
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| Main Authors | , , , |
|---|---|
| Format | Patent |
| Language | Korean |
| Published |
06.01.2023
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| Abstract | 본원에는 증착 균일성 및 에칭 선택성을 개선하기 위해 탄소 하드 마스크들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 탄소 하드 마스크는 PECVD 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고, 질소-도핑된 탄소 하드마스크이다. 질소-도핑된 탄소 하드마스크는 질소 함유 가스, 아르곤 함유 가스, 및 탄화수소 가스를 사용하여 형성된다.
Disclosed herein is a method and apparatus for forming carbon hard masks to improve deposition uniformity and etch selectivity. The carbon hard mask may be formed in a PECVD process chamber and is a nitrogen-doped carbon hardmask. The nitrogen-doped carbon hardmask is formed using a nitrogen containing gas, an argon containing gas, and a hydrocarbon gas. |
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| AbstractList | 본원에는 증착 균일성 및 에칭 선택성을 개선하기 위해 탄소 하드 마스크들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 탄소 하드 마스크는 PECVD 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고, 질소-도핑된 탄소 하드마스크이다. 질소-도핑된 탄소 하드마스크는 질소 함유 가스, 아르곤 함유 가스, 및 탄화수소 가스를 사용하여 형성된다.
Disclosed herein is a method and apparatus for forming carbon hard masks to improve deposition uniformity and etch selectivity. The carbon hard mask may be formed in a PECVD process chamber and is a nitrogen-doped carbon hardmask. The nitrogen-doped carbon hardmask is formed using a nitrogen containing gas, an argon containing gas, and a hydrocarbon gas. |
| Author | MIN XIAOQUAN XU LU KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR LEE KWANGDUK DOUGLAS |
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