질소 도핑된 탄소 하드마스크 막들

본원에는 증착 균일성 및 에칭 선택성을 개선하기 위해 탄소 하드 마스크들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 탄소 하드 마스크는 PECVD 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고, 질소-도핑된 탄소 하드마스크이다. 질소-도핑된 탄소 하드마스크는 질소 함유 가스, 아르곤 함유 가스, 및 탄화수소 가스를 사용하여 형성된다. Disclosed herein is a method and apparatus for forming carbon hard masks to improve deposition uniformity and etch sele...

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Main Authors MIN XIAOQUAN, KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, XU LU, LEE KWANGDUK DOUGLAS
Format Patent
LanguageKorean
Published 06.01.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본원에는 증착 균일성 및 에칭 선택성을 개선하기 위해 탄소 하드 마스크들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 탄소 하드 마스크는 PECVD 프로세스 챔버에서 형성될 수 있고, 질소-도핑된 탄소 하드마스크이다. 질소-도핑된 탄소 하드마스크는 질소 함유 가스, 아르곤 함유 가스, 및 탄화수소 가스를 사용하여 형성된다. Disclosed herein is a method and apparatus for forming carbon hard masks to improve deposition uniformity and etch selectivity. The carbon hard mask may be formed in a PECVD process chamber and is a nitrogen-doped carbon hardmask. The nitrogen-doped carbon hardmask is formed using a nitrogen containing gas, an argon containing gas, and a hydrocarbon gas.
Bibliography:Application Number: KR20227040114