EUV 리소그래피 장치의 동작 방법 및 EUV 리소그래피 장치

• Main Authors: EHM DIRK HEINRICH, BECKER MORITZ
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.01.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

본 발명은 적어도 하나의 반사 광학 요소(12)가 배열되어 있는 적어도 하나의 진공 하우징(27)을 포함하는 EUV 리소그래피 장치(1)의 동작 방법에 관한 것으로서, EUV 방사선(5)이 진공 하우징(27) 내로 조사되는 노광 동작 모드(B)에서 EUV 리소그래피 장치(1)를 동작하는 단계를 포함하고, 진공 하우징(27) 내에 존재하는 잔류 가스와 EUV 방사선(5)의 상호작용의 결과로서 반사 광학 요소(12)의 표면(12a)에서 환원 플라즈마가 발생된다. 이 방법에서, EUV 방사선(5)이 진공 하우징(27) 내로 조사되지 않는 노광 중지 후, 및 노광 동작 모드(B)에서 EUV 리소그래피 장치(1)의 갱신된 동작 전에, EUV 리소그래피 장치(1)는 노광 중지 전의 EUV 리소그래피 장치(1)의 투과율을 복구하기 위해 반사 광학 요소(12)의 표면(12a)에서 산화된 오염물이 환원되는 복구 동작 모드에서 동작된다. 본 발명은 또한 방법을 수행하기 위한 제어 디바이스(48)를 갖는 EUV 리소그래피 장치(1)에 관한 것이다. A method for operating an EUV lithography apparatus (1) with at least one vacuum housing (27) for at least one reflective optical element (12) includes operating the EUV lithography apparatus in an exposure operating mode (B), in which EUV radiation (5) is radiated into the vacuum housing, wherein a reducing plasma is generated at a surface (12a) of the reflective optical element in response to an interaction of the EUV radiation with a residual gas present in the vacuum housing. After an exposure pause, in which no EUV radiation is radiated into the vacuum housing, and before renewed operation of the EUV lithography apparatus in the exposure operating mode (B), the EUV lithography apparatus is operated in a recovery operating mode, in which oxidized contaminants at the surface of the reflective optical element are reduced in order to recover a transmission of the EUV lithography apparatus before the exposure pause.