염소 (chlorine) 를 사용한 고 종횡비 유전체 에칭

• Main Authors: SERINO ANDREW CLARK, BELAU LEONID, TAKAHASHI RUI, LEE WONJAE, LI YILUN, HUDSON ERIC A, OH YOUN JIN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.12.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 명세서의 다양한 실시 예들은 반도체 기판 상에 리세스된 피처들 (recessed features) 을 에칭하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 본 명세서에 기술된 기법들은 실질적으로 수직 프로파일, 저 보잉 (bowing), 저 트위스트 (twist), 및 고도의 원형 피처들을 갖는 고품질 리세스된 피처들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 이들 고품질 결과들은 높은 정도의 선택도 및 상대적으로 높은 에칭 레이트로 달성될 수 있다. 다양한 실시 예들에서, 에칭은 염소 소스 (chlorine source), 탄소 소스, 수소 소스, 및 불소 소스를 포함하는 프로세싱 가스로부터 생성된 플라즈마에 기판을 노출하는 것을 수반한다. 염소 소스는 특정한 특성들을 가질 수도 있다. 일부 경우들에서, 특정한 염소 소스들이 사용될 수도 있다. 에칭은 통상적으로 저온들, 예를 들어 약 25 ℃ 이하에서 발생한다. Various embodiments herein relate to methods and apparatus for etching recessed features on a semiconductor substrate. The techniques described herein can be used to form high quality recessed features with a substantially vertical profile, low bowing, low twisting, and highly circular features. These high quality results can be achieved with a high degree of selectivity and a relatively high etch rate. In various embodiments, etching involves exposing the substrate to plasma generated from a processing gas that includes a chlorine source, a carbon source, a hydrogen source, and a fluorine source. The chlorine source may have particular properties. In some cases, particular chlorine sources may be used. Etching typically occurs at low temperatures, for example at about 25C or lower.