판독 리프레시 동작

판독 리프레시 동작들을 위한 방법들, 시스템들 및 디바이스들이 설명된다. 메모리 디바이스는 메모리 셀들의 복수의 서브 블록들을 포함할 수 있다. 각각의 서브 블록은 다수의 액세스 동작들(예를 들어, 판독 동작들, 기록 동작들)을 겪을 수 있다. 일정 기간 동안 어느 하나의 서브 블록에 대해 수행된 액세스 동작들의 양에 기초하여, 서브 블록의 메모리 셀들에 대한 판독 리프레시 동작이 수행될 수 있다. 판독 리프레시 동작은 서브 블록의 메모리 셀들에 저장된 데이터를 리프레시 및/또는 복원할 수 있고, (예를 들어, 호스트 디바이스로부터...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors PELLIZZER FABIO, SARPATWARI KARTHIK, TORTORELLI INNOCENZO, GAJERA NEVIL N
Format Patent
LanguageKorean
Published 05.12.2022
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:판독 리프레시 동작들을 위한 방법들, 시스템들 및 디바이스들이 설명된다. 메모리 디바이스는 메모리 셀들의 복수의 서브 블록들을 포함할 수 있다. 각각의 서브 블록은 다수의 액세스 동작들(예를 들어, 판독 동작들, 기록 동작들)을 겪을 수 있다. 일정 기간 동안 어느 하나의 서브 블록에 대해 수행된 액세스 동작들의 양에 기초하여, 서브 블록의 메모리 셀들에 대한 판독 리프레시 동작이 수행될 수 있다. 판독 리프레시 동작은 서브 블록의 메모리 셀들에 저장된 데이터를 리프레시 및/또는 복원할 수 있고, (예를 들어, 호스트 디바이스로부터) 동작 코드를 수신하는 메모리 디바이스에 기초하여 개시될 수 있다. Methods, systems, and devices for read refresh operations are described. A memory device may include a plurality of sub-blocks of memory cells. Each sub-block may undergo a quantity of access operations (e.g., read operations, write operations). Based on the quantity of access operations performed on any one sub-block over a period of time, a read refresh operation may be performed on the memory cells of the sub-block. A read refresh operation may refresh and/or restore the data stored to the memory cells of the sub-block, and be initiated based on the memory device receiving an operation code (e.g., from a host device).
Bibliography:Application Number: KR20227037841