페난트롤린 유도체의 결정 및 그 제조 방법, 그리고 그것을 사용한 발광 소자
본 발명은, 발광 소자 재료로서 사용하는 데 적합한, 화학 순도가 높고, 잔류 용매량이 적은 페난트롤린 유도체의 결정과, 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖고, 분말 X선 회절에 있어서, 회절각 2θ(°) 6.7±0.2, 8.2±0.2, 13.7±0.2, 17.7±0.2 및 22.2±0.2의 각각에 피크를 갖는 페난트롤린 유도체의 결정(B형 결정이라고 칭함) 및 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖고, 분말 X선 회절에 있어서, 회절각 2θ(°) 5.0±0.2, 7.5±0.2, 8.7±0...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
29.11.2022
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Summary: | 본 발명은, 발광 소자 재료로서 사용하는 데 적합한, 화학 순도가 높고, 잔류 용매량이 적은 페난트롤린 유도체의 결정과, 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖고, 분말 X선 회절에 있어서, 회절각 2θ(°) 6.7±0.2, 8.2±0.2, 13.7±0.2, 17.7±0.2 및 22.2±0.2의 각각에 피크를 갖는 페난트롤린 유도체의 결정(B형 결정이라고 칭함) 및 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖고, 분말 X선 회절에 있어서, 회절각 2θ(°) 5.0±0.2, 7.5±0.2, 8.7±0.2, 12.5±0.2 및 17.3±0.2의 각각에 피크를 갖는 페난트롤린 유도체의 결정(C형 결정이라고 칭함)을 제공하는 것이다. 또한, C형 결정을 얻는 데 적합한 결정인, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖고, 분말 X선 회절에 있어서, 회절각 2θ(°) 5.2±0.2, 7.0±0.2, 16.4±0.2, 20.0±0.2 및 23.6±0.2의 각각에 피크를 갖는, 페난트롤린 유도체의 결정을 제공하는 것이다. JPEGpct00023.jpg65139 (X는 페닐렌기 또는 나프틸렌기를 나타낸다.)
The purpose of the present invention is to provide: a crystal of a phenanthroline derivative, said crystal having high chemical purity and low residual solvent content, thereby being suitable for use as a light emitting element material; and a method for producing this crystal of a phenanthroline derivative. The present invention provides: a crystal of a phenanthroline derivative, said crystal having a structure represented by general formula (1), while respectively having peaks at diffraction angles 2θ (°) of 6.7 ± 0.2, 8.2 ± 0.2, 13.7 ± 0.2, 17.7 ± 0.2 and 22.2 ± 0.2 in the powder X-ray diffraction pattern (said crystal being referred to as a B-form crystal); and crystal of a phenanthroline derivative, said crystal having a structure represented by general formula (1), while respectively having peaks at diffraction angles 2θ (°) of 5.0 ± 0.2, 7.5 ± 0.2, 8.7 ± 0.2, 12.5 ± 0.2 and 17.3 ± 0.2 in the powder X-ray diffraction pattern (said crystal being referred to as a C-form crystal). In addition, the present invention provides a crystal of a phenanthroline derivative, said crystal having a structure represented by general formula (1), while respectively having peaks at diffraction angles 2θ (°) of 5.2 ± 0.2, 7.0 ± 0.2, 16.4 ± 0.2, 20.0 ± 0.2 and 23.6 ± 0.2 in the powder X-ray diffraction pattern, said crystal being suitable for the achievement of a C-form crystal. (In the formula, X represents a phenylene group or a naphthylene group.) |
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Bibliography: | Application Number: KR20227031056 |