TEMPERATURE CONTROL METHOD AND TEMPERATURE CONTROL DEVICE

• Main Author: MATSUBARA RYO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present disclosure is to provide a technology for inhibiting variation in substrate processing performance when processing a substrate. A temperature control method of a chamber of a plasma processing apparatus comprises the processes of: (a) providing a substrate in the chamber; (b) measuring a pre-processing temperature of an internal component of the chamber; (c) determining a temperature control condition based on a difference between the pre-processing temperature measured in process (b) and a target temperature that has been preset in advance; (d) performing either or both of raising the temperature of the internal component using plasma and cooling the internal component using the purging of cooling gas, based on the temperature control condition; and (e) processing the substrate with plasma. 본 개시는, 기판을 처리할 때에, 기판 처리 성능이 변동하는 것을 억제하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 처리 장치의 챔버의 온도 제어 방법으로서, (a) 기판을 상기 챔버의 내부에 제공하는 공정과, (b) 상기 챔버의 내부 구성 부재의 처리 개시전 온도를 측정하는 공정과, (c) 측정한 상기 처리 개시전 온도 및 미리 설정한 목표 온도의 차에 기초하여, 온도 제어 조건을 결정하는 공정과, (d) 상기 온도 제어 조건에 기초하여, 상기 내부 구성 부재를 플라즈마에 의해 승온하거나 및 냉각 가스의 퍼지에 의해 냉각하는 것 중 적어도 어느 한쪽을 실시하는 공정과, (e) 상기 기판을 플라즈마 처리하는 공정을 포함하는 온도 제어 방법.