신규 연마재를 포함하는 CMP 조성물

화학 기계적 연마 조성물은 액체 담체 및 상기 액체 담체에 분산된 콜로이드 실리카 입자를 포함한다. 콜로이드 실리카 입자는 액체 담체에서 적어도 10 mV의 양전하를 가지며, (i) 약 1.25 초과의 수평균 종횡비, 및 (ii) 약 0.42 초과의 중량 기준 정규화된 입자 크기 스팬을 가짐을 특징으로 할 수 있다. 상기 연마 조성물은 임의적으로, 예를 들어 연마 조성물이 텅스텐 CMP 조성물인 경우, 철-함유 촉진제 및 텅스텐 에칭 억제제를 추가로 포함할 수 있다. A chemical mechanical polishing comp...

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Main Authors LONG KIM, DOCKERY KEVIN P, GRUMBINE STEVEN, SNEED BRIAN, KRYLOVA GALYNA, IVANOV ROMAN A, PETRO BENJAMIN, HAINS ALEXANDER W
Format Patent
LanguageKorean
Published 28.11.2022
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH
SEMICONDUCTOR DEVICES
SKI WAXES
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Summary:화학 기계적 연마 조성물은 액체 담체 및 상기 액체 담체에 분산된 콜로이드 실리카 입자를 포함한다. 콜로이드 실리카 입자는 액체 담체에서 적어도 10 mV의 양전하를 가지며, (i) 약 1.25 초과의 수평균 종횡비, 및 (ii) 약 0.42 초과의 중량 기준 정규화된 입자 크기 스팬을 가짐을 특징으로 할 수 있다. 상기 연마 조성물은 임의적으로, 예를 들어 연마 조성물이 텅스텐 CMP 조성물인 경우, 철-함유 촉진제 및 텅스텐 에칭 억제제를 추가로 포함할 수 있다. A chemical mechanical polishing composition includes a liquid carrier and colloidal silica particles dispersed in the liquid carrier. The colloidal silica particles have a positive charge of at least 10 mV in the liquid carrier and may be characterized as having: (i) a number average aspect ratio of greater than about 1.25 and (ii) a normalized particle size span by weight of greater than about 0.42. The polishing composition may further optionally include an iron-containing accelerator and a tungsten etch inhibitor, for example, when the polishing composition is a tungsten CMP composition.
Bibliography:Application Number: KR20227037590