적층 구조체를 생성하기 위한 프로세스

• Main Authors: DARRAS FRANCOIS XAVIER, GHYSELEN BRUNO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 리시버 기판 및 표면 필름을 포함하는 적층 구조체의 생성 프로세스에 관한 것으로, 생성 프로세스는: a) 각각 전면 및 후면을 갖는 캐리어 기판 및 초기 기판을 제공하는 단계, b) 상기 기판들 중 어느 하나의 전면을 통해 광 이온들을 주입함으로써 캐리어 기판 또는 초기 기판에 매립된 약화된 평면을 형성하는 단계, c) 각각의 전면들을 통해 캐리어 기판과 초기 기판을 접합하는 단계, d) 초기 기판으로부터 유래되고 캐리어 기판 상에 배열된 도너 층, 및 캐리어 기판 또는 도너 층에 존재하는 매립된 약화된 평면을 포함하는 도너 기판을 형성하기 위하여 후면을 통해 초기 기판을 기계적 및/또는 화학적으로 박형화하는 단계로서, 도너 기판은 도너 층 측 상의 전면 및 캐리어 기판 측 상의 후면을 갖는, 박형화하는 단계, e) 전면 및 후면을 갖는 리시버 기판을 제공하는 단계, f) 각각의 전면들을 통해 도너 기판과 리시버 기판을 접합하는 단계, g) 도너 층의 전부 또는 일부를 포함하는 표면 필름 및 리시버 기판을 포함하는 적층 구조체를 형성하기 위해 매립된 약화된 평면을 따라 분리하는 단계를 포함한다. A method for producing a stacked structure comprises: a) providing a carrier substrate and an initial substrate, each having a front face and a back face, b) forming a buried weakened plane in the carrier substrate or in the initial substrate, by implanting light ions through the front face of either of the substrates, c) joining the carrier substrate and the initial substrate via their respective front faces, d) thinning the initial substrate via its back face to form a donor substrate e) providing a receiver substrate having a front face and a back face, f) joining the donor substrate and the receiver substrate via their respective front faces, and g) separating along the buried weakened plane, so as to form the stacked structure comprising the receiver substrate and a surface film including all or part of a donor layer originating from the initial substrate.