SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: TOMURA MAJU, SUDA RYUTARO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present invention is to solve at least one of improving etching throughput and suppressing shape abnormalities of a recessed part formed by etching. The substrate processing method includes a step a1), a step a2), a step a3), and a step a4). In step a1), a substrate including a silicon-containing film is provided within a chamber. In step a2), a process gas containing HF gas is supplied into the chamber. In step a3), a plasma generated from the process gas etches the silicon-containing film to form a recessed part in the silicon-containing film. In step a4), a control is performed to lower the partial pressure of the HF gas as the aspect ratio of the recessed part increases. [과제] 에칭의 스루풋을 향상시키는 것, 에칭에 의해 형성되는 오목부의 형상 이상을 억제하는 것의 적어도 하나를 해결한다. [해결수단] 기판 처리 방법은, 공정 a1)과 공정 a2)와 공정 a3)과 공정 a4)를 포함한다. 공정 a1)에서는, 챔버 내에 실리콘 함유 막을 포함하는 기판이 제공된다. 공정 a2)에서는, 챔버 내에 HF 가스를 포함하는 처리 가스가 공급된다. 공정 a3)에서는, 처리 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 함유 막이 에칭되어, 실리콘 함유 막에 오목부가 형성된다. 공정 a4)에서는, 오목부의 어스펙트비 증가에 동반하여 HF 가스의 분압을 내리는 제어가 이루어진다.