DOUBLE GATE FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

• Main Authors: LIN CHUNG TE, CHEN HAI CHING, HUANG. YEN CHIEH, LIAO SONG FU, LIN PO TING, YEONG SAI HOOI, LIN YU MING
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A ferroelectric field effect transistor (FeFET) having a double gate structure comprises: a first gate electrode; a first ferroelectric material layer on the first gate electrode; a semiconductor channel layer on the first ferroelectric material layer; source and drain electrodes in contact with the semiconductor channel layer; a second ferroelectric material layer on the semiconductor channel layer; and a second gate electrode on the second ferroelectric material layer. 이중 게이트 구조체를 갖는 강유전체 전계 효과 트랜지스터(FeFET)는, 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 위의 제1 강유전체 재료 층, 상기 제1 강유전체 재료 층 위의 반도체 채널 층, 상기 반도체 채널 층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극, 반도체 채널 층 위의 제2 강유전체 재료 층, 및 상기 제2 강유전체 재료 층 위의 제2 게이트 전극을 포함한다.