Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Integrated circuit devices may include a lower transistor and an upper transistor stacked on a substrate. The upper transistor may overlap the lower transistor. The upper transistor may include an upper gate structure. The lower transistor may include a lower gate structure. The upper gate structure...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors SONG SEUNG HYUN, HONG BYOUNG HAK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 26.10.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Integrated circuit devices may include a lower transistor and an upper transistor stacked on a substrate. The upper transistor may overlap the lower transistor. The upper transistor may include an upper gate structure. The lower transistor may include a lower gate structure. The upper gate structure and the lower gate structure may have different widths in a horizontal direction. 집적회로 장치들은 기판 상에 적층된 하부 트랜지스터 및 상부 트랜지스터를 포함할 수 있고, 상부 트랜지스터가 하부 트랜지스터와 오버랩될 수 있다. 상부 트랜지스터는 상부 게이트 구조물을 포함할 수 있고, 하부 트랜지스터는 하부 게이트 구조물을 포함할 수 있고, 상부 게이트 구조물 및 하부 게이트 구조물은 수평 방향으로 다른 폭들을 가질 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20220022462