TRENCH ISOLATION STRUCTURE FOR SCALED PIXEL REGION

• Main Authors: HUANG CHENG YU, CHOU KENG YU, HSU TZU HSUAN, CHIANG WEI CHIEH
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In accordance with some embodiments, the present disclosure relates to an image sensor integrated chip. The image sensor integrated chip includes a substrate having a first side and a second side opposite the first side. The substrate has at least one sidewall defining a trench extended along both sides of a pixel area having a first width. An isolation structure including at least one dielectric material is disposed within the trench. The trench structure has a second width. An image sensing element and a focus area are disposed within the pixel area. The focus area is formed to receive incident radiation along the second side of the substrate. The ratio of the second width to the first width is in the range of between approximately 0.1 and approximately 0.2, such that the focus area is completely confined between inner sidewalls of the isolation structure facing the image sensing element. 본 개시는, 일부 실시예에서, 이미지 센서 집적 칩에 관한 것이다. 이미지 센서 집적 칩은 제1 측 및 제1 측의 반대편에 있는 제2 측을 갖는 기판을 포함한다. 기판은 제1 폭을 갖는 픽셀 영역의 양 측을 따라 연장하는 트렌치를 규정하는 하나 이상의 측벽을 갖는다. 하나 이상의 유전체 재료를 포함하는 격리 구조물은 트렌치 내에 배치된다. 트렌치 구조물은 제2 폭을 갖는다. 이미지 감지 요소 및 초점 영역은 픽셀 영역 내에 배치된다. 초점 영역은 기판의 제2 측을 따라 입사 방사선을 수신하도록 구성된다. 초점 영역이 이미지 감지 요소를 향하는 격리 구조물의 내부 측벽 사이에 완전히 제한되도록, 제2 폭 대 제1 폭의 비율은 대략 0.1 내지 대략 0.2 사이의 범위에 있다.