A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

• Main Authors: AHN JEONG HOON, DING SHAOFENG, CHOI YUN KI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a semiconductor device with improved electrical characteristics. The semiconductor device comprises: an integrated circuit on a substrate; an interlayer insulation film on the substrate; a contact connected to the integrated circuit through the interlayer insulation film; a wire layer arranged on the interlayer insulation film, and having a wire connected to the contact; a first protective film arranged on the wire layer; a first pad and a second pad arranged on the first protective film; and a penetration electrode connected to the first pad through the substrate, the interlayer insulation film, the wire layer, and the first protective film. The first pad includes a first had unit positioned on the first protective film, and a protruding unit extended from the first head unit into the first protective film, and surrounding the side of the penetration electrode in the first protective film. The second pad can be connected to the integrated circuit through the contact and the wire. 기판 상에 형성되는 집적 회로, 상기 기판 상의 층간 절연막, 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 집적 회로에 연결되는 콘택, 상기 층간 절연막 상에 배치되고, 상기 콘택과 연결되는 배선을 갖는 배선층, 상기 배선층 상에 배치되는 제 1 보호막, 상기 제 1 보호막 상에 배치되는 제 1 패드 및 제 2 패드, 및 상기 기판, 상기 층간 절연막, 상기 배선층 및 상기 제 1 보호막을 관통하여 상기 제 1 패드에 연결되는 관통 전극을 포함하는 반도체 소자를 제공하되, 상기 제 1 패드는 상기 제 1 보호막 상에 위치하는 제 1 헤드부, 및 상기 제 1 헤드부로부터 상기 제 1 보호막 내로 연장되고, 상기 제 1 보호막 내에서 상기 관통 전극의 측면을 둘러싸는 돌출부를 포함하고, 상기 제 2 패드는 상기 배선 및 상기 콘택을 통해 상기 집적 회로와 연결될 수 있다.