파장 변환기, 이의 제조 방법 및 이 엘리먼트를 포함하는 발광 디바이스
본 발명은 비발광성 기재 층, 적어도 하나의 폴리실록산 층을 포함하는 파장 변환기에 관한 것으로, 여기서 폴리실록산 층들 중 적어도 하나는 인광체 물질을 포함한다. 또한, 본 발명은 파장 변환기를 제조하기 위한 방법, 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention is directed to a wavelength converter comprising a non-luminescent substrate layer, at least one polysiloxane layer,...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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14.10.2022
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Summary: | 본 발명은 비발광성 기재 층, 적어도 하나의 폴리실록산 층을 포함하는 파장 변환기에 관한 것으로, 여기서 폴리실록산 층들 중 적어도 하나는 인광체 물질을 포함한다. 또한, 본 발명은 파장 변환기를 제조하기 위한 방법, 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
The present invention is directed to a wavelength converter comprising a non-luminescent substrate layer, at least one polysiloxane layer, wherein at least one of the polysiloxane layers comprises a phosphor material.Furthermore, the present invention is directed to a method for preparing a wavelength converter, a light emitting device and a method for preparing a light emitting device. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227031620 |