파장 변환기, 이의 제조 방법 및 이 엘리먼트를 포함하는 발광 디바이스

본 발명은 비발광성 기재 층, 적어도 하나의 폴리실록산 층을 포함하는 파장 변환기에 관한 것으로, 여기서 폴리실록산 층들 중 적어도 하나는 인광체 물질을 포함한다. 또한, 본 발명은 파장 변환기를 제조하기 위한 방법, 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention is directed to a wavelength converter comprising a non-luminescent substrate layer, at least one polysiloxane layer,...

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Main Authors JOHNSTON DAVID W, PIQUETTE ALAN, TCHOUL MAXIM, KRAEUTER GERTRUD
Format Patent
LanguageKorean
Published 14.10.2022
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명은 비발광성 기재 층, 적어도 하나의 폴리실록산 층을 포함하는 파장 변환기에 관한 것으로, 여기서 폴리실록산 층들 중 적어도 하나는 인광체 물질을 포함한다. 또한, 본 발명은 파장 변환기를 제조하기 위한 방법, 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention is directed to a wavelength converter comprising a non-luminescent substrate layer, at least one polysiloxane layer, wherein at least one of the polysiloxane layers comprises a phosphor material.Furthermore, the present invention is directed to a method for preparing a wavelength converter, a light emitting device and a method for preparing a light emitting device.
Bibliography:Application Number: KR20227031620