GaAs RF MINIATURIZED GaAs-BASED BANDPASS FILTER AND RADIO FREQUENCY DEVICE EQUIPMENT

• Main Authors: KO HYUNG HWA, KIM NAM YOUNG, KIM EUN SEONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to an integrated circuit including a quad flat no-lead (QFN) package miniaturized GaAs-based bandpass filter, a manufacturing method thereof, and a radio frequency (RF) device including the QFN package miniaturized GaAs-based bandpass filter. One embodiment of the present invention provides a manufacturing method of a bandpass filter (BPF), which comprises: a washing step of washing a substrate consisting of a compound including at least one of materials from Group III to Group V with a washing solution including alcohol; a first passivation layer generation step of generating a passivation layer; and a step of applying at least one of a photoresistor coating (PR coating) step, an exposure step, and an etching step. 본 발명은 QFN 패키지 소형 GaAs 기반의 대역통과 필터를 포함하는 직접회로 및 그 제조방법, 및 QFN 패키지 소형 GaAs 기반의 대역통과 필터를 포함하는 RF장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는 III족 물질 내지 V족 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어진 기판(substrate)에 대하여: 알코올 물질을 포함하는 세정액으로 세척하는 세척 단계; 패시베이션층(passivation layer)를 생성하는 제1 패시베이션층 생성 단계; 및 PR 코팅(photoresistor coating) 단계; 노광(exposure) 단계; 및 에칭(etching) 단계; 중 적어도 어느 하나를 적용함으로써, 대역통과필터(BPF; bandpass filter)를 제조(fabrication)하는 제조 방법을 제안한다.