CLEANING LIQUID FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR CLEANING

The present invention provides a cleaning fluid for lithography not only excellent in removal performance of residue remaining after an etching treatment, but also excellent in corrosion preventing performance to at least one kind of metal selected from a group consisting of cobalt and an alloy ther...

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Main Authors UENO NAOHISA, KUMAGAI TOMOYA, SUGAWARA MAI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.10.2022
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Summary:The present invention provides a cleaning fluid for lithography not only excellent in removal performance of residue remaining after an etching treatment, but also excellent in corrosion preventing performance to at least one kind of metal selected from a group consisting of cobalt and an alloy thereof and a cleaning method of a substrate by using the cleaning fluid for lithography. The cleaning fluid for lithography according to the present invention contains hydroxyl amine, at least one kind of basic compound selected from a group consisting of an amine compound other than hydroxyl amine and quaternary ammonium hydroxide, and water and having pH of 8 or more. The cleaning fluid is preferably used for cleaning the substrate containing the at least one kind of metal selected from a group consisting of cobalt and an alloy thereof. In addition, the cleaning fluid preferably has the content of hydroxyl amine of 6 mass% or more and/or pH of 11 or more. Or the cleaning fluid preferably contains further organic acid. 본 발명은 에칭 처리 후에 잔존하는 잔사물의 제거 성능이 뛰어날 뿐만 아니라, 코발트 및 그 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속에 대한 부식 억제 기능이 뛰어난 리소그래피용 세정액, 및 이 세정액을 이용한 기판의 세정 방법을 제공한다. 본 발명에 관한 리소그래피용 세정액은 히드록실아민과, 히드록실아민 이외의 아민 화합물 및 제4급 암모늄 수산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 염기성 화합물과, 물을 함유하고 pH가 8 이상이다. 상기 세정액은 코발트 및 그 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 기판의 세정에 이용되는 것이 바람직하다. 또, 상기 세정액은 히드록실아민의 함유량이 6중량% 이상이며, 및/또는 pH가 11 이상인 것이 바람직하다. 혹은 상기 세정액은 추가로 유기산을 함유하는 것이 바람직하다.
Bibliography:Application Number: KR20220123980