방사선 방출 반도체 몸체 및 방사선 방출 반도체 몸체의 제조 방법
본 발명은 방사선 방출 반도체 몸체(1)에 관한 것으로, - 제1 전도 타입(conductivity type)의 제1 반도체 영역(2), - 제2 전도 타입의 제2 반도체 영역(3) 및 - 상기 제1 반도체 영역(2)과 상기 제2 반도체 영역(3) 사이의 활성 영역(4)을 포함하고, - 상기 활성 영역(4)은 상기 반도체 몸체(1)의 중앙 영역(6) 내에서보다 상기 반도체 몸체(1)의 가장자리 영역(5) 내에서 더 큰 밴드 갭(band gap)을 갖고, - 상기 제2 반도체 영역(3)의 밴드 갭은 상기 가장자리 영역(5) 내에서와...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
12.10.2022
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