방사선 방출 반도체 몸체 및 방사선 방출 반도체 몸체의 제조 방법

• Main Author: EBBECKE JENS
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 방사선 방출 반도체 몸체(1)에 관한 것으로, - 제1 전도 타입(conductivity type)의 제1 반도체 영역(2), - 제2 전도 타입의 제2 반도체 영역(3) 및 - 상기 제1 반도체 영역(2)과 상기 제2 반도체 영역(3) 사이의 활성 영역(4)을 포함하고, - 상기 활성 영역(4)은 상기 반도체 몸체(1)의 중앙 영역(6) 내에서보다 상기 반도체 몸체(1)의 가장자리 영역(5) 내에서 더 큰 밴드 갭(band gap)을 갖고, - 상기 제2 반도체 영역(3)의 밴드 갭은 상기 가장자리 영역(5) 내에서와 상기 중앙 영역(6) 내에서 동일하다. 더 나아가 본 발명은 방사선 방출 반도체 칩(radiation-emitting semiconductor chip)(14) 및 방사선 방출 반도체 몸체(1)의 제조 방법에 관한 것이다. In an embodiment a radiation emitting semiconductor body includes a first semiconductor region of a first conductivity type, a second semiconductor region of a second conductivity type and an active region located between the first semiconductor region and the second semiconductor region, wherein the active region comprises InGaAlP, wherein the first conductivity type is n-conductive and the second conductivity type is p-conductive, wherein the active region has a larger band gap in an edge region of the semiconductor body than in a central region of the semiconductor body, and wherein a band gap of the second semiconductor region in the edge region and in the central region is the same.