TSV OVERSIZED VIA AS THROUGH-SUBSTRATE-VIATSV STOP LAYER

• Main Authors: YAUNG DUN NIAN, LIN HSING CHIH, KAO MIN FENG, CHU YI SHIN, LIU JEN CHENG, CHEN PING TZU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Some embodiments of the present invention relate to an integrated chip structure. The integrated chip structure includes standard vias disposed on a first side of a substrate. Oversized vias are disposed on the first side of the substrate and are laterally separated from the standard vias. The oversized vias have the width wider than the width standard vias. Interconnect wires make vertical contact with the oversized vias. Through-substrate vias (TSVs) extend through the substrate from the second side of the substrate and make physical contact with the oversized vias or the interconnect wires. The TSVs have a minimum the width smaller than the width of oversized vias. 본 개시는, 일부 실시예에서, 집적 칩 구조물과 관련된다. 집적 칩 구조물은 기판의 제1 측면 상에 배치된 표준 비아를 포함한다. 오버사이즈 비아는 기판의 제1 측면 상에 배치되고 표준 비아로부터 측방으로 분리된다. 오버사이즈 비아는 표준 비아보다 더 넓은 폭을 가진다. 인터커넥트 와이어는 오버사이즈 비아와 수직으로 접촉한다. 관통-기판 비아(TSV)는 기판의 제2 측면으로부터 기판을 통해 연장되어, 오버사이즈 비아 또는 인터커넥트 와이어와 물리적으로 접촉한다. TSV는 오버사이즈 비아의 폭보다 더 작은 최소 폭을 가진다.