반도체 부품들을 선택하기 위한 방법

• Main Author: PFEUFFER ALEXANDER F
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 부품들(20)을 선택하기 위한 방법이 제공된다. 단계 A)에서, 희생 층(12), 희생 층(12) 상에 배치되는 연결 층(13), 및 희생 층(12) 상에 배치되는 다수의 반도체 부품들(20)을 포함하는 도너(donor) 기판(1)이 제공된다. 연결 층(13)은 희생 층(12)을 적어도 국부적으로 완전히 통과하여, 각 반도체 부품(20)은 적어도 국부적으로 연결 층(13)과 직접 접촉한다. 추가 단계 B)에서, 결함있는 반도체 부품들(20A)을 식별하기 위해 선택 방법이 수행된다. 추가 단계 C)는, 결함있는 반도체 부품(20A)과 이에 직접 인접하는 적어도 하나의 반도체 부품(20) 및 이들 반도체 부품들 사이에서 노출되는 중간 영역(30A) 상에 커버 층(30)을 선택적으로 가하는 것을 포함한다. 추가 단계 D)에서, 희생 층(12)이 선택적으로 에칭되고, 커버 층(30)은 중간 영역(30A)에서 희생 층(12)의 에칭을 감소시키거나 회피한다. 단계 E)에서, 도너 기판(1)으로부터 반도체 부품들(20)이 추출되고, 결함있는 반도체 부품(20A) 및 적어도 직접 인접하는 배치되는 반도체 부품(20)은 도너 기판(1)에 남아 있다. In an embodiment a method includes providing a donor substrate comprising a sacrificial layer, a connecting layer arranged on the sacrificial layer, and a plurality of semiconductor components arranged on the sacrificial layer, the connecting layer at least locally passing fully through the sacrificial layer so that each semiconductor component is at least locally in direct contact with the connecting layer, performing a selection method for identifying defective semiconductor components, selectively applying a cover layer onto a defective semiconductor component, at least one semiconductor component arranged directly adjacent to the defective semiconductor component and an intermediate region located between these semiconductor components, selectively etching the sacrificial layer, wherein the cover layer reduces or avoids etching the sacrificial layer in the intermediate region and removing the semiconductor components from the donor substrate, the defective semiconductor component remaining on the donor substrate.