SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE INCLUDING REFLECTIVE ELECTRODE PATTERN

• Main Authors: CHAE SEUNG WAN, CHEONG MYUNG GOO, SUNG YOUNG KYU, JEONG DOO HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor light emitting device package includes: a substrate; a first semiconductor layer disposed on the substrate, and including first regions including a first-type semiconductor material and having a first height, and a second region disposed between the first regions and having a second height lower than the first height; an active layer directly disposed in the first region of the first semiconductor layer, and including a plurality of patterns emitting light of a predetermined wavelength band; a second semiconductor layer directly disposed on each pattern of the active layer and including a plurality of patterns formed of a second-type semiconductor material; a third semiconductor layer directly disposed on each pattern of the second semiconductor layer, and including a plurality of patterns formed of a material different from the material of the second semiconductor layer; a transparent electrode layer including a plurality of patterns directly disposed on each pattern of the third semiconductor layer; and a reflective electrode layer electrically connected to each pattern of the transparent electrode layer, and including a plurality of patterns including portions overlapping each pattern of the active layer in a vertical direction and a horizontal direction. The present invention can minimize the light loss rate of the semiconductor light emitting device package. 반도체 발광 소자 패키지는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 제1 타입의 반도체 물질을 포함하고, 제1 높이를 가지는 제1 영역들 및 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지고 상기 제1 영역들 사이에 배치되는 제2 영역을 포함하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층의 제1 영역 상에 직접 배치되고, 소정의 파장 대역의 광을 방출하는 복수의 패턴들을 포함하는 활성층, 상기 활성층의 각 패턴 상에 직접 배치되고, 제2 타입의 반도체 물질로 이루어진 복수의 패턴들을 포함하는 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층의 각 패턴 상에 직접 배치되고, 제2 타입의 반도체 물질로 이루어지되 상기 제2 반도체층과 다른 물질로 이루어진 복수의 패턴들을 포함하는 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층의 각 패턴 상에 직접 배치되는 복수의 패턴들을 포함하는 투명 전극층, 및 상기 투명 전극층의 각 패턴과 전기적으로 연결되고, 상기 활성층의 각 패턴과 수직 방향 및 수평 방향으로 중첩하는 영역을 포함하는 복수의 패턴들을 포함하는 반사 전극층을 포함한다.