METHOD DEVICE AND COMPUTER PROGRAM FOR REPAIRING A MASK DEFECT

• Main Authors: BUDACH MICHAEL, BAUR CHRISTOF, OSTER JENS, SCHONEBERG JOHANNES
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.10.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Disclosed are a method, device, and computer program for repairing defects of lithography masks, and particularly EUV masks. The method for repairing defects of lithography masks and particularly EUV masks comprises: a step (a) of performing a first repair step for defects by using a first repair dose wherein the defect is transitioned from an initial topology to a consequently first defect topology; a step (b) of determining the effect of the first repair step for the topology of the defects; a step (c) of determining a second defect topology for the defects intended to be achieved through a second repair step for the defects; and a step (d) of determining a second repair dose for a second repair step based at least in part on the topology of the defects and the determined impact of the first repair step for the second defect topology. The method may further comprise a step (e) of performing the second repair step by using a second repair capacity. The purpose of the present invention is to specify a method for repairing more accurately and reliably mask defects. 리소그래피용 마스크, 특히 EUV 마스크의 결함을 수리하기 위한 방법, 장치 및 컴퓨터 프로그램이 기재된다. 리소그래피용 마스크, 특히 EUV 마스크의 결함을 수리하는 방법은, (a.) 제1 수리 도즈를 사용하여 결함에 대한 제1 수리 단계를 수행하는 단계 - 상기 결함은 초기 토폴로지로부터 결과적으로 제1 결함 토폴로지로 천이함 - ; (b.) 상기 결함의 토폴로지에 대한 상기 제1 수리 단계의 영향을 결정하는 단계; (c.) 상기 결함에 대한 제2 수리 단계를 통해 달성되도록 의도된 결함에 대한 제2 결함 토폴로지를 결정하는 단계; 및 (d.) 결함의 토폴로지 및 제2 결함 토폴로지에 대한 제1 수리 단계의 결정된 영향에 적어도 부분적으로 기초하여 제2 수리 단계에 대한 제2 수리 도즈를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 제2 수리 용량을 사용하여 제2 수리 단계를 수행하는 단계 (e.)를 더 포함할 수 있다.