기판 처리 장치, 배기 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
기판을 처리하는 처리실과, 처리실 내에 금속 함유 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 처리실 내로부터 제1 산소 함유 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 처리실 내로부터 금속 함유 가스 성분을 포함하는 배기 가스를 배기하는 배기부를 갖고, 배기부는, 가스 배기관과, 처리실 내를 배기하는 펌프와, 펌프를 보조하는 보조 펌프와, 펌프와 보조 펌프 사이에 마련되어, 플라스마에 의해 금속 함유 가스 성분을 포집하기 위한 트랩부를 구비하는 기술이 제공된다. Provided is a technique including: a processi...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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04.10.2022
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Summary: | 기판을 처리하는 처리실과, 처리실 내에 금속 함유 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 처리실 내로부터 제1 산소 함유 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 처리실 내로부터 금속 함유 가스 성분을 포함하는 배기 가스를 배기하는 배기부를 갖고, 배기부는, 가스 배기관과, 처리실 내를 배기하는 펌프와, 펌프를 보조하는 보조 펌프와, 펌프와 보조 펌프 사이에 마련되어, 플라스마에 의해 금속 함유 가스 성분을 포집하기 위한 트랩부를 구비하는 기술이 제공된다.
Provided is a technique including: a processing chamber that processes a substrate; a first gas supplier that supplies a metal-containing gas into the processing chamber; a second gas supplier that supplies a first oxygen-containing gas into the processing chamber; and an exhauster including a gas exhaust pipe and a trap that collects a component of the metal-containing gas contained in an exhaust gas using plasma, the exhauster discharging the exhaust gas from the processing chamber. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227029646 |