피착체의 박리 방법
공정 (S1) : 복수의 피착체를 점착제층 (X1) 에 첩착하는 공정, 및, 공정 (S2) : 상기 복수의 피착체 가운데, 일부의 피착체가 첩착하고 있는 영역의 상기 점착제층 (X1) 의 적어도 일부를 승화시켜 가스를 발생시키고, 상기 일부의 피착체와 상기 점착제층 (X1) 의 접착력을 저하시키는 공정을 포함하는, 피착체의 박리 방법 ; 상기 박리 방법을 실시하는 공정을 포함하는, 반도체 칩의 제조 방법 ; 그리고 상기 박리 방법을 실시하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invent...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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29.09.2022
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Summary: | 공정 (S1) : 복수의 피착체를 점착제층 (X1) 에 첩착하는 공정, 및, 공정 (S2) : 상기 복수의 피착체 가운데, 일부의 피착체가 첩착하고 있는 영역의 상기 점착제층 (X1) 의 적어도 일부를 승화시켜 가스를 발생시키고, 상기 일부의 피착체와 상기 점착제층 (X1) 의 접착력을 저하시키는 공정을 포함하는, 피착체의 박리 방법 ; 상기 박리 방법을 실시하는 공정을 포함하는, 반도체 칩의 제조 방법 ; 그리고 상기 박리 방법을 실시하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention pertains to: an adherend separation method which includes a step (S1) for adhering a plurality of adherends to an adhesive layer (X1), and a step (S2) for generating a gas by sublimating at least some of the adhesive layer (X1) in the region where some of the plurality of adherends are adhered, and decreasing the adhesive force between the adhesive layer (X1) and said some adherends; a semiconductor chip production method which includes a step for executing said separation method; and a semiconductor device production method which includes a step for executing said separation method. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227024985 |