Image sensors

• Main Authors: SHIM EUN SUB, AHN JUNG CHAK, JIN YOUNG GU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An image sensor is disclosed. The image sensor comprises: a semiconductor substrate including first and second surfaces facing each other; a semiconductor pattern disposed on a first surface of the semiconductor substrate and extending in a first direction perpendicular to the first surface; a buried transfer gate electrode disposed in a transfer gate trench extending from the first surface of the semiconductor substrate into the semiconductor substrate; a first gate electrode surrounding a sidewall of the semiconductor pattern and having a ring-shaped horizontal cross-section; and a color filter disposed on the second surface of the semiconductor substrate. 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 반도체 패턴; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 트렌치 내에 배치되는 매립 전송 게이트 전극; 상기 반도체 패턴의 측벽을 둘러싸며 링 형상의 수평 단면을 갖는 제1 게이트 전극; 및 상기 반도체 기판의 상기 제2 면 상에 배치되는 컬러 필터를 포함한다.