플라스마 기반 웨이퍼 프로세싱 시스템에 대한 섹터 션트

무선 주파수 플라스마 프로세싱 시스템은 반응 챔버, 전극 대칭 축을 갖는 전극 - 전극은 반응 챔버에 배치됨 -, 및 복수의 플레이트들 - 각각은 전기 전도성 층을 가지며, 전극 표면으로부터의 일정 갭을 두고 전극의 주변부 주위에 전극 대칭 축에 대해 방위각적으로 반응 챔버에 배치되고, 복수의 플레이트들 각각은 가변 리액턴스 회로를 통해 전기 접지에 연결됨 - 을 포함한다. A radio frequency plasma processing system including a reaction chamber, an electrode hav...

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Main Authors DE CHAMBRIER ALEXANDRE, SAVAS STEPHEN E
Format Patent
LanguageKorean
Published 19.09.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
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Summary:무선 주파수 플라스마 프로세싱 시스템은 반응 챔버, 전극 대칭 축을 갖는 전극 - 전극은 반응 챔버에 배치됨 -, 및 복수의 플레이트들 - 각각은 전기 전도성 층을 가지며, 전극 표면으로부터의 일정 갭을 두고 전극의 주변부 주위에 전극 대칭 축에 대해 방위각적으로 반응 챔버에 배치되고, 복수의 플레이트들 각각은 가변 리액턴스 회로를 통해 전기 접지에 연결됨 - 을 포함한다. A radio frequency plasma processing system including a reaction chamber, an electrode having an electrode symmetry axis, the electrode disposed in the reaction chamber, and a plurality of plates, each having an electrically conducting layer, disposed in the reaction chamber azimuthally with respect to the electrode symmetry axis around a perimeter of the electrode at a gap from the electrode surface, each of the plurality of plates connected to an electrical ground through a variable reactance circuit.
Bibliography:Application Number: KR20227027084