SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: FUJII NOBUTOSHI, HAGIMOTO YOSHIYA, KAGAWA YOSHIHISA, AOYAGI KENICHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The semiconductor device of the present invention comprises: a first substrate that includes a first electrode and a first insulating film made of a diffusion preventing material for the first electrode and covering the periphery of the first electrode, wherein the first electrode and the first insulating film constitute a bonding surface; and a second substrate that is installed by being bonded to the first substrate, and includes a second electrode bonded to the first electrode, and a second insulating film made of a diffusion preventing material of the second electrode and covering the periphery of the second electrode, wherein the second electrode and the second insulating film constitute a bonding surface to the first substrate. 본 발명의 반도체 장치는, 제 1 전극, 및 상기 제 1 전극에 대한 확산 방지 재료로 구성되고 상기 제 1 전극의 주위를 피복하는 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 절연막으로 접합면을 구성하는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 접합되어 설치되고, 상기 제 1 전극에 접합된 제 2 전극, 및 상기 제 2 전극의 확산 방지 재료로 구성되고 상기 제 2 전극의 주위를 피복하는 제 2 절연막을 포함하고, 상기 제 2 전극과 상기 제 2 절연막으로 상기 제 1 기판에 대한 접합면을 구성하는 제 2 기판을 구비한다.