SEMICONDUCTOR DIE WITH A POWER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: TEGEN STEFAN, FINNEY ADRIAN, KUBASCH CHRISTOPH, WEIS ROLF, KROENKE MATTHIAS, FERRARA ALESSANDRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor die with a transistor device, which comprises: a channel region formed in a semiconductor body; a gate region (5) next to the channel region for controlling channel formation; a drift region formed in the semiconductor body; and a field electrode, in a field electrode trench, extending vertically from a front surface of the semiconductor body into the drift region. An insulating layer (15) is formed on the front surface of the semiconductor body, a front surface metallization unit is formed on the insulating layer, (15) and a capacitor electrode conductively connected to at least a part of the field electrode is formed in the insulating layer (15). 본 개시는 트랜지스터 장치를 구비한 반도체 다이에 관한 것으로, 반도체 본체에 형성된 채널 영역과, 채널 형성을 제어하기 위한, 채널 영역 옆의 게이트 영역(5)과, 반도체 본체에 형성된 드리프트 영역과, 반도체 본체의 전면으로부터 드리프트 영역으로 수직으로 연장되는, 필드 전극 트렌치 내의 필드 전극을 포함하고, 반도체 본체의 전면 상에 절연층이 형성되고, 절연층 상에 전면 금속화부가 형성되며, 절연층(15)에, 필드 전극의 적어도 일부에 도전적으로 접속된 커패시터 전극이 형성된다.