MEMBRANES FOR USE WITHIN A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS COMPRISING SUCH A MEMBRANE

EUV 방사선에 대해 투과성인 멤브레인이 개시되며, 이는 리소그래피 장치에서 펠리클 또는 스펙트럼 필터로서 사용될 수 있다. 멤브레인은 상기 멤브레인이 1017 cm-3보다 큰 도펀트 농도로 도핑되는 1 이상의 고농도 도핑된 구역, 및 (도핑을 갖지 않거나) 저농도 도핑을 갖는 1 이상의 구역을 포함한다. 멤브레인은 저농도 도핑 및 1 이상의 추가적인 층을 갖는 주 기판을 가질 수 있고, 상기 고농도 도핑된 구역들은 상기 추가적인 층들 중 일부 또는 전체 내에 구성된다. A membrane transmissive to EUV rad...

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Bibliographic Details
Main Authors BOOGAARD ARJEN, SCACCABAROZZI LUIGI, BANINE VADIM YEVGENYEVICH, PETER MARIA, DHALLUIN FLORIAN DIDIER ALBIN, KUZNETSOV ALEXEY SERGEEVICH, NIKIPELOV ANDREY ALEXANDROVICH, VAN ZWOL PIETER JAN, BENSCHOP JOZEF PETRUS HENRICUS, VAN DER ZANDE WILLEM JOAN, YAKUNIN ANDREI MIKHAILOVICH
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 06.09.2022
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
OPTICS
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:EUV 방사선에 대해 투과성인 멤브레인이 개시되며, 이는 리소그래피 장치에서 펠리클 또는 스펙트럼 필터로서 사용될 수 있다. 멤브레인은 상기 멤브레인이 1017 cm-3보다 큰 도펀트 농도로 도핑되는 1 이상의 고농도 도핑된 구역, 및 (도핑을 갖지 않거나) 저농도 도핑을 갖는 1 이상의 구역을 포함한다. 멤브레인은 저농도 도핑 및 1 이상의 추가적인 층을 갖는 주 기판을 가질 수 있고, 상기 고농도 도핑된 구역들은 상기 추가적인 층들 중 일부 또는 전체 내에 구성된다. A membrane transmissive to EUV radiation, which may be used as a pellicle or spectral filter in a lithographic apparatus. The membrane has one or more high doped regions wherein the membrane is doped with a dopant concentration greater than 1017 cm−3, and one or more regions with low (or no) doping. The membrane may have a main substrate having low doping and one or more additional layers, wherein the high doped regions are within some or all of the additional layers.
Bibliography:Application Number: KR20227029496