이중 기공 디바이스들을 제조하기 위한 방법들

• Main Authors: SALY MARK J, DURAND WILLIAM J, WOODS KEENAN NAVARRE, QUON ROGER, SREENIVASAN RAGHAV, JOHNSON JOSEPH R, CHUDZIK MICHAEL, BHUYAN BHASKAR JYOTI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.09.2022
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MEASURING; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TESTING; TRANSPORTING

본 개시내용의 실시예들은 이중 기공 센서들 및 이러한 이중 기공 센서들의 제조 방법들을 제공한다. 이 방법은 2개의 실리콘 층들 및 2개의 멤브레인 층들을 포함하는 막 스택을 형성하는 단계, 다음에 이들 층들을 통해 연장되고 2개의 저장소들 및 2개의 나노기공들을 갖는 채널을 생성하도록 막 스택을 에칭하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 저장소들 및 나노기공들의 내부면들 상에 산화물 층을 증착하는 단계, 산화물 층 상에 유전체 층을 증착하는 단계, 및 스택의 일부를 통해 연장되는 금속 콘택을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은...