이중 기공 디바이스들을 제조하기 위한 방법들

• Main Authors: SALY MARK J, DURAND WILLIAM J, WOODS KEENAN NAVARRE, QUON ROGER, SREENIVASAN RAGHAV, JOHNSON JOSEPH R, CHUDZIK MICHAEL, BHUYAN BHASKAR JYOTI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.09.2022
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MEASURING; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TESTING; TRANSPORTING

본 개시내용의 실시예들은 이중 기공 센서들 및 이러한 이중 기공 센서들의 제조 방법들을 제공한다. 이 방법은 2개의 실리콘 층들 및 2개의 멤브레인 층들을 포함하는 막 스택을 형성하는 단계, 다음에 이들 층들을 통해 연장되고 2개의 저장소들 및 2개의 나노기공들을 갖는 채널을 생성하도록 막 스택을 에칭하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 저장소들 및 나노기공들의 내부면들 상에 산화물 층을 증착하는 단계, 산화물 층 상에 유전체 층을 증착하는 단계, 및 스택의 일부를 통해 연장되는 금속 콘택을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 웰들을 형성하도록 유전체 층을 에칭하는 단계, 저장소들의 내부면들 상에 증착된 보호 산화물 층을 드러내도록 제1 실리콘 층을 에칭하는 단계, 및 저장소들 및 나노기공들의 내부면들 상에 증착된 보호 산화물 층을 에칭하는 단계를 더 포함한다. Embodiments of the present disclosure provide dual pore sensors and methods for producing these dual pore sensors. The method includes forming a film stack, where the film stack contains two silicon layers and two membrane layers, and then etching the film stack to produce a channel extending therethrough and having two reservoirs and two nanopores. The method also includes depositing a oxide layer on inner surfaces of the reservoirs and nanopores, depositing a dielectric layer on the oxide layer, and forming a metal contact extending through a portion of the stack. The method further includes etching the dielectric layers to form wells, etching the first silicon layer to reveal the protective oxide layer deposited on the inner surfaces of a reservoir, and etching the protective oxide layer deposited on the inner surfaces of the reservoirs and the nanopores.