APPLYING DEVELOPING METHOD AND APPLYING DEVELOPING APPARATUS

• Main Authors: KAWAKAMI SHINICHIRO, MIZUNOURA HIROSHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.09.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a development method, wherein in developing a resist film containing metal formed on the surface of a substrate, a resist containing metal is applied to a substrate to form a resist film and in developing the resist film after exposure to light, metal adhesion to a circumferential end surface of the substrate and to a circumferential edge portion on the back side is suppressed. The development method of the present invention comprises the steps of: applying a resist (74) containing metal to the surface of a substrate (W) to form a resist film (71) and exposing the resist film (71) to light; supplying a developing solution (77) to the surface of the substrate to develop the resist film (71); and forming a protective film (72) before the developing step, that prevents the developing solution (77) from coming in contact with at least a circumferential end surface as a circumferential edge portion of the substrate (W) and a circumferential edge portion on the back side of the substrate (W). 본 발명은 기판의 표면에 형성된 금속을 포함하는 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판에 금속을 함유하는 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 상기 레지스트막을 현상하는 데 있어서, 기판의 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에의 금속의 부착을 억제하는 것을 과제로 한다. 기판(W)의 표면에 금속을 함유하는 레지스트(74)를 도포하여 레지스트막(71)을 형성하고, 상기 레지스트막(71)을 노광하는 공정과, 상기 기판의 표면에 현상액(77)을 공급하여 상기 레지스트막(71)을 현상하는 현상 공정과, 상기 현상 공정 전에 있어서, 상기 레지스트막이 형성되어 있지 않은 기판(W)의 둘레 가장자리부로서, 적어도 둘레 단부면 및 이면측 둘레 가장자리부에 상기 현상액(77)에 접하는 것을 막는 보호막(72)을 형성하는 공정을 행한다.