반도체 해석 시스템

반도체 해석 시스템은, 반도체 웨이퍼를 가공하여 관찰용의 박막 시료를 제작하는 가공 장치와, 박막 시료의 투과형 전자 현미경상을 취득하는 투과형 전자 현미경 장치와, 가공 장치 및 투과형 전자 현미경 장치를 제어하는 상위 제어 장치를 구비하고 있다. 상위 제어 장치는, 투과형 전자 현미경상에 기초하는 박막 시료에 대한 평가를 행하고, 박막 시료의 평가 결과에 기초하여 가공 조건을 갱신하고, 갱신한 가공 조건을 가공 장치로 출력한다. A semiconductor analysis system includes a machining dev...

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Main Authors KUBO YUDAI, NOMAGUCHI TSUNENORI, CHIBA HIROYUKI
Format Patent
LanguageKorean
Published 05.09.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
TESTING
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Summary:반도체 해석 시스템은, 반도체 웨이퍼를 가공하여 관찰용의 박막 시료를 제작하는 가공 장치와, 박막 시료의 투과형 전자 현미경상을 취득하는 투과형 전자 현미경 장치와, 가공 장치 및 투과형 전자 현미경 장치를 제어하는 상위 제어 장치를 구비하고 있다. 상위 제어 장치는, 투과형 전자 현미경상에 기초하는 박막 시료에 대한 평가를 행하고, 박막 시료의 평가 결과에 기초하여 가공 조건을 갱신하고, 갱신한 가공 조건을 가공 장치로 출력한다. A semiconductor analysis system includes a machining device that machines semiconductor wafer to prepare a thin film sample for observation, a transmission electron microscope device that acquires a transmission electron microscope image of the thin film sample, and a host control device that controls the machining device and the transmission electron microscope device. The host control device evaluates the thin film sample based on the transmission electron microscope image, updates machining conditions based on an evaluation result of the thin film sample, and outputs the updated machining conditions to the machining device.
Bibliography:Application Number: KR20227026015