메모리 물리 계층 내 코어 로직에 대한 전력 동작 상태

• Main Authors: HE XIAOJIE, ARORA SONU, GADA SRIDHAR VARADHARAJULU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 02.09.2022
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; CONTROLLING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; PHYSICS; REGULATING; SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES

전자 장치가 메모리 기능 블록에서의 동작을 제어하는 코어 로직, 메모리 PHY 전압 조정기, 시스템 전압 조정기, 및 제어기와 함께 메모리 회로 및 메모리 물리 계층(PHY) 기능 블록을 포함하는 메모리 기능 블록을 가진다. 전자 장치는 메모리 PHY 전압 조정기의 출력에 결합된 입력, 시스템 전압 조정기의 출력에 결합된 또 다른 입력, 및 코어 로직의 전력 공급 입력에 결합된 출력을 갖는 스위치를 더 포함한다. 최대 전력 동작 상태에서 전력이 메모리 PHY 전압 조정기로부터 코어 로직으로 제공되도록 제어기는 스위치를 설정한다. 하나 이상의 저 전력 동작 상태에서 전력이 시스템 전압 조정기로부터 코어 로직으로 제공되도록 제어기가 스위치를 설정한다. An electronic device has a memory functional block that includes memory circuits and a memory physical layer (PHY) functional block with core logic that controls operations in the memory functional block, a memory PHY voltage regulator, a system voltage regulator, and a controller. The electronic device also includes a switch having an input coupled to an output of the memory PHY voltage regulator, another input coupled to an output of the system voltage regulator, and an output coupled to a power supply input of the core logic. The controller sets the switch so that electrical power is provided from the memory PHY voltage regulator to the core logic in a full power operating state. The controller sets the switch so that electrical power is provided from the system voltage regulator to the core logic in one or more low power operating states.