SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

• Main Authors: KIM WOONG RAE, HONG DUCK HWA, HWANG JEONG TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.09.2022
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

According to an embodiment of the present invention, a memory system comprises: a memory controller which generates a normal refresh command and a target refresh command when input times of active commands reach a predetermined number, and provides the active command, the normal refresh command, the target refresh command, and an address; and a memory device which includes a plurality of banks, performs a target refresh operation refreshing a word line of at least one of the banks when the target refresh command is input, determines risk levels for each bank by counting the input times of the target refresh command for each bank based on the address at a predetermined cycle, and adjusts the target refresh cycle for each bank by performing a hidden refresh operation according to the risk levels when the normal refresh command is input. Therefore, the present invention can reduce power consumption and maximize target refresh efficiency. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템은, 액티브 커맨드의 입력 횟수가 소정 횟수에 도달하면 노멀 리프레쉬 커맨드 및 타겟 리프레쉬 커맨드를 생성하고, 상기 액티브 커맨드, 상기 노멀 리프레쉬 커맨드, 상기 타겟 리프레쉬 커맨드 및 어드레스를 제공하는 메모리 컨트롤러; 및 다수의 뱅크들을 포함하고, 상기 타겟 리프레쉬 커맨드가 입력되면 상기 뱅크들 중 적어도 하나의 뱅크의 워드 라인을 리프레쉬하는 타겟 리프레쉬 동작을 수행하며, 상기 어드레스를 토대로 상기 각 뱅크별 타겟 리프레쉬 커맨드의 입력 횟수를 소정 주기로 카운팅하여 각 뱅크별 리스크 레벨들을 결정하고, 상기 노멀 리프레쉬 커맨드가 입력되면 상기 리스크 레벨들에 따라 히든 리프레쉬 동작을 수행하여 각 뱅크별 타겟 리프레쉬 주기를 조절하는 메모리 장치를 포함할 수 있다.