TECHNIQUES FOR PRECHARGING A MEMORY CELL

• Main Authors: DI VINCENZO UMBERTO, BEDESCHI FERDINANDO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.08.2022
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

메모리 셀을 예비충전하기 위한 기법을 위한 방법 및 디바이스가 기재된다. 메모리 셀이 자신의 디지트 라인과 연결된 동안 메모리 셀을 예비충전하는 것이 액세스 동작의 전체 지속시간을 감소시킬 수 있고, 이로써, 메모리 디바이스의 액세스와 연관된 레이턴시를 감소시킬 수 있다. 읽기 동작 동안, 메모리 디바이스는 메모리 셀을 선택된 디지트 라인과 연결하기 위해 워드 라인을 선택할 수 있다. 또한, 메모리 디바이스는 선택된 디지트 라인을 특정 전압까지 예비충전될 참조 디지트 라인과 선택적으로 연결할 수 있다. 예비충전의 완료 시 선택된 디지트 라인과 참조 디지트 라인 사이의 전압차가 메모리 셀의 논리 상태를 지시하는 신호를 나타낼 수 있다. Methods and devices for techniques for precharging a memory cell are described. Precharging a memory cell while the memory cell is coupled with its digit line may reduce a total duration of an access operation thereby reducing a latency associated with accessing a memory device. During a read operation, the memory device may select a word line to couple the memory cell with a selected digit line. Further, the memory device may selectively couple the selected digit line with a reference digit line that is to be precharged to a given voltage. A difference in voltage between the selected digit line and the reference digit line at the completion of precharging may represent a signal indicative of a logic state of the memory cell. The memory device may use a capacitor precharged to a first voltage to capture the signal. In some cases, the memory device may continue to perform a self-reference operation using the same memory cell, the selected digit line, and the reference digit line to produce a reference signal using the capacitor precharged to a different voltage. A similar precharging steps may be repeated during the self-reference operation. The selected word line may remain activated during the read operation and the self-reference operation.