웨이퍼 모델 및 웨이퍼 제조 어셈블리를 사용한 웨이퍼 노광 방법

• Main Authors: GROEGER PHILIP, BUHL STEFAN, LOMTSCHER PATRICK
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.08.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

웨이퍼 노광 방법에 대하여, 사전 정의된 측정 위치에서의 웨이퍼 구조로부터 임계 치수 값을 얻는다. 웨이퍼 구조를 형성하기 위해 사용되는 노광 프로세스의 위치-의존 프로세스 파라미터를 얻는다. 측정 사이트에서의 임계 치수 값으로부터, 미리 설정된 모델 및 하나 이상의 추가 모델의 계수가 결정된다. 각각의 추가 모델은 미리 설정된 모델 및 다른 모델과 적어도 하나의 항에서 상이하다. 모델은 임계 치수 값, 프로세스 파라미터 및/또는 프로세스 파라미터의 보정 값을 적어도 2개의 위치 좌표의 함수로 근사화한다. 모델로부터 얻은 근사화된 임계 치수 값 및 측정 사이트에서 얻은 임계 치수 값 사이의 잔차가 결정된다. 미리 설정된 모델 및 적어도 하나의 추가 모델 중에서 업데이트된 모델이 선택된다. 선택은 잔차, 모델 항의 개수 및/또는 모델 항의 차수에 가중치를 부여하는 기준에 기초한다. Critical dimension values can be obtained from wafer structures at predefined measurement sites. Coefficients of a preset model and another model with a different term are determined using critical dimension values from the measurement sites. The models approximate the critical dimension values, the process parameters and/or correction values of the process parameters as a function of at least two position coordinates. An updated model is selected from the models based on a criterion weighting the residuals between approximated critical dimension values, the number of terms of the model and/or the order or the terms of the model.