ORGANOMETALLIC RADIATION PATTERNABLE COATINGS WITH LOW DEFECTIVITY AND CORRESPONDING METHODS

• Main Authors: GATES CRAIG M, CHANG SHU HAO L, CLARK BENJAMIN L, SMIDDY DOMINICK, DOISE JAN, GIORDANO GAETANO, GENIZA MARK, DE SCHEPPER PETER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.08.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the context of forming radiation patternable structures specifically for EUV patterning, disclosed is a wafer structure including a substrate having a smooth top surface and a radiation sensitive organometallic coating having an average thickness of 100 nm or less and no more than about 1 defect per square centimeter with a defect size of greater than 48 nm, evaluated with 3 mm edge exclusion. A corresponding method for forming a low defect coating includes the steps of: spin coating a purified radiation sensitive organometallic resist solution onto a wafer by using a spin coater system including a delivery line and a delivery nozzle connected to the delivery line to form a coated wafer; and drying the coated wafer to form a radiation sensitive organometallic coating having no more than about 1 defect per square centimeter with a defect size of greater than 48 nm, evaluated with 3 mm edge exclusion. An improved filtering method for particle removal from a radiation patternable organometallic resist composition is provided. 특히 EUV 패터닝을 위한 방사선 패턴화 구조를 형성하는 맥락에서, 평활한 상부 표면을 갖는 기판, 및 100 nm 이하의 평균 두께를 갖고 3 mm 가장자리 배제로 평가된 48 nm 초과의 결함 크기를 갖는 결함이 제곱센티미터당 약 1개 이하인 감방사선성 유기금속 코팅을 포함하는 웨이퍼 구조물이 기재된다. 상응하는 저 결함 코팅을 형성하는 방법은 전달 라인 및 상기 전달 라인에 연결된 전달 노즐을 포함하는 스핀 코터 시스템을 사용하여 웨이퍼 상에 정제된 감방사선성 유기금속 레지스트 용액을 스핀 코팅하여 코팅된 웨이퍼를 형성하는 단계, 및 상기 코팅된 웨이퍼를 건조하여 3 mm 가장자리 배제로 평가된 48 nm 초과의 결함 크기를 갖는 결함이 제곱센티미터당 약 1개 이하인 감방사선성 유기금속 코팅을 형성하는 단계를 포함한다. 방사선 패턴화 유기금속 레지스트 조성물로부터 입자 제거를 위한 개선된 여과 방법이 제공된다.