정전 용량식 센서 및 입력 장치

• Main Authors: YAMAMURA KEN, TAKAHASHI SOTA, YAZAWA MANABU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 23.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

가공성이나 내환경성을 고려하면서 불가시성을 높일 수 있는 본 발명의 정전 용량식 센서는, 기재 (2) 상에, 모두 결정성 ITO 로 이루어지는 제 1 투명 전극부 (4) 및 제 2 투명 전극부 (5) 가 패턴 형성하여 형성되고, 이웃하는 제 1 투명 전극부 (4) 및 이것에 연속되는 연결부 (7) 상에, 절연층 (20) 을 개재하여 아모르퍼스 IZO 로 이루어지는 브리지 배선부 (10) 가 형성되고, 브리지 배선부 (10) 에 의해 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극부 (5) 가 전기적으로 접속되는 구조를 갖고, 제 2 투명 전극부 (5) 의 두께를 TE, 브리지 배선부 (10) 의 두께를 TB 로 했을 때, 하기 식 (1) 및 하기 식 (2) 를 만족한다. 0.28 × TE ＋ 83 ㎚ ≤ TB ≤ 0.69 × TE ＋ 105 ㎚ (1) 30 ㎚ ≤ TE ≤ 50 ㎚ (2) A capacitive sensor has a structure in which first transparent electrode portions and second transparent electrode portions formed from crystalline indium tin oxide (ITO) are provided on a base material by patterning. A bridge wiring portion formed from amorphous indium zinc oxide (IZO) is provided on each two adjacent first transparent electrode portions and a link continuous to them, with an insulating layer intervening between the bridge wiring portion and the two first transparent electrode portions and link. These two adjacent second transparent electrode portions are electrically connected together by the bridge wiring portion. The thickness of the second transparent electrode portion TE and the thickness of the bridge wiring portion TB satisfy the following expressions: 0.28×TE+83 nm≤TB≤0.69×TE+105 nm; and 30 nm≤TE≤50 nm.