인접한 전도성 층들의 적층체의 연마 동안의 프로파일 제어

• Main Authors: CHERIAN BENJAMIN, LEE HARRY Q, GAGE DAVID MAXWELL, XU KUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

기판 상의 인접한 전도성 층들의 적층체의 연마 동안, 인-시튜 와전류 모니터링 시스템이 일련의 특성화 값들을 측정한다. 반복적으로 일련의 특성화 값들로부터 연마율이 반복적으로 계산되고, 초기 시간 기간 동안 제1 제어 알고리즘을 사용하여, 현재의 연마율에 기반하여 하나 이상의 연마 파라미터에 대한 하나 이상의 조정이 반복적으로 계산되고, 하부 전도성 층의 노출을 표시하는 적어도 하나의 제1 미리 결정된 기준을 충족하는 연마율의 변화가 검출되고, 연마율의 변화를 검출한 후의 후속 시간 기간 동안 상이한 제2 제어 알고리즘을 사용하여, 연마율에 기반하여 하나 이상의 연마 파라미터에 대한 하나 이상의 조정이 계산된다. A method of controlling polishing includes polishing a stack of adjacent conductive layers on a substrate, measuring with an in-situ eddy current monitoring system a sequence of characterizing values for the substrate during polishing, calculating a polishing rate from the sequence of characterizing values repeatedly during polishing, calculating one or more adjustments for one or more polishing parameters based on a current polishing rate using a first control algorithm for an initial time period, detecting a change in the polishing rate that indicates exposure of the underlying conductive layer, and calculating one or more adjustments for one or more polishing parameters based on the polishing rate using a different second control algorithm for a subsequent time period after detecting the change in the polishing rate.