감소된 입자 생성을 제공하는 정전 필터

• Main Authors: SINCLAIR FRANK, LIKHANSKII ALEXANDRE, CUCCHETTI ANTONELLA, HERMANSON ERIC D, LINDBERG ROBERT C, SCHEUER JAY T
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 19.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

정전 렌즈에서 입자 생성을 감소시키기 위한 접근 방식들이 본원에 제공된다. 일부 실시예들에서, 이온 주입 시스템은 이온 빔을 수신하기 위한 입구 및 목표물을 향해 이온 빔을 전달하기 위한 출구를 포함하는 정전 렌즈를 포함할 수 있으며, 정전 렌즈는 이온 빔라인의 제1 측면을 따라 배치되는 제1 터미널(terminal) 전극, 제1 억제 전극, 및 제1 접지 전극을 포함하고, 여기서 제1 접지 전극은 접지되며 출구에 인접하여 위치된다. 정전 렌즈는 이온 빔라인의 제2 측면을 따라 배치되는 제2 터미널 전극, 제2 억제 전극, 및 제2 접지 전극을 더 포함할 수 있으며, 여기서 제2 접지 전극은 접지되고 출구에 인접하여 위치된다. 주입 시스템은 이온 빔을 제어하기 위해 정전 렌즈에 전압 및 전류를 공급하도록 동작할 수 있는 전원 공급장치를 더 포함할 수 있다. Provided herein are approaches for decreasing particle generation in an electrostatic lens. In some embodiments, an ion implantation system may include an electrostatic lens including an entrance for receiving an ion beam and an exit for delivering the ion beam towards a target, the electrostatic lens including a first terminal electrode, a first suppression electrode, and a first ground electrode disposed along a first side of an ion beamline, wherein the first ground electrode is grounded and positioned adjacent the exit. The electrostatic lens may further include a second terminal electrode, a second suppression electrode, and a second ground electrode disposed along a second side of the ion beamline, wherein the second ground electrode is grounded and positioned adjacent the exit. The implantation system may further include a power supply operable to supply a voltage and a current to the electrostatic lens for controlling the ion beam.