NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND READ OPERATING METHOD THEREOF

• Main Authors: KIM HYUNG GON, KIM BYUNG SOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.08.2022
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A nonvolatile memory device according to one embodiment of the present disclosure includes a plurality of memory cells divided into a plurality of groups. A read operation method of the nonvolatile memory device includes the steps of: applying a read voltage to word lines connected to memory cells of a selected group including a selected word line among a plurality of groups; applying a read voltage to the word lines connected to the memory cells of a non-selected group which do not include a selected word line among a plurality of memory cells and are positioned in a direction perpendicular to the selected group; and turning on at least one switching transistor positioned between the selected group and the non-selected group. 본 개시의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치는 복수의 그룹들로 구분되는 복수의 메모리 셀들을 포함하고, 비휘발성 메모리 장치의 읽기 동작 방법은 복수의 그룹들 중 선택 워드라인을 포함하는 선택 그룹의 메모리 셀들에 연결된 워드라인들에 읽기 전압을 인가하는 단계, 복수의 메모리 셀들 중 선택 워드라인을 비포함하고, 상기 선택 그룹과 수직 방향으로 위치하는 비선택 그룹의 메모리 셀들에 연결된 워드라인들에 읽기 전압을 인가하는 단계 및 선택 그룹과 비선택 그룹 사이에 위치하는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 턴-온시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.